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发表于 2021-12-23
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N 通道增强型功率 MOSFET* W9 S9 M, h% C/ |) Q
2 J9 |, `9 M+ I u: U/ C
4 W; D) G% B7 M4 i描述1 n% Q J$ x$ Q
TF3622 使用先进的沟槽技术提供合适的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压操作。 该设备适合用作电池保护或其他开关应用。
, F" P7 U9 a: tTF3622一般特点
; C7 V' P" [" f5 H' ? F. A● VDS =30V,ID =25A
/ R, h2 w0 D+ V# h6 F IRDS(ON) =12mΩ @ VGS=10V
2 g" t& L9 ^+ T5 l5 lRDS(ON) =16mΩ @ VGS=4.5V
~2 M) \; m) w7 C) _9 c● 高功率和电流处理能力) B, Q2 i. ^5 A- _" X
● 获得无铅产品
& b6 g! S) T8 H* ?1 h1 E● 表面贴装封装
; C7 N) J% |& C' w& f/ g- q1 e. @) r* O- c. U& M5 W
* }, \% W5 o0 @; D: `4 h1 c应用5 B+ P* I4 U. v
●电池开关8 B% P5 X; E9 V% K# O3 K- R
●DC/DC转换器
% R/ y% |" V, f' \! f, R: C7 _) h& J0 `5 A1 S0 u, c
* C* Q" _( e+ W) }3 ^0 r4 |' [
TF3622原理图4 H6 z" l( ?0 D. D& j! ^, u; K
( Q4 i, `2 H" P% i8 q. b7 d% HTF3622封装图
% S/ i( o4 i/ K3 ?! o5 F" @0 Q' p
j0 j0 x& L1 m* N8 STF3622绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）4 C4 d( k5 {2 a/ S6 }9 E
$ e/ o1 g* P2 a7 J) L: K/ B1 YTF3622 热特性
7 \4 {8 v/ ^- k5 ^; z5 R2 p0 b* m9 L+ I
" I+ h7 Q9 s+ q! S; s2 wTF3622电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
" @- e3 W, l- Q8 k! |
2 O/ }8 l- @. l: F+ j, R# E2 Z 5 r, K; K( f! B2 |* z, o
其他特性：
- ?/ g: b! [) U9 M- R5 ?' A4 l( d5 `0 c# j+ z/ i* u
, J3 R. t& E- h& T* h7 t
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。
' i) A% x" w6 }3 b: `0 d) \; F: D F
( j j; Z9 Z0 f- [9 Y: T6 c2.表面安装在FR4板上，t≤ 10秒。
2 E* N' p' G; N1 X% U% h: }+ Y
' h& i; x# F* U. Y4 _0 Q8 \$ w7 q# {- T3 x; B3 D+ ~
3.脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2%.
7 T7 d! u! P4 h! H: {! l4 d: k, _ u9 Q6 d0 D5 ^" H$ i
5 Z4 L: c C3 ^# J
4.设计保证，不以生产为准
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