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发表于 2021-12-23
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N 通道增强型功率 MOSFET7 i! W6 X3 U& n9 {$ w" k
* r& n: V0 E o2 s& K3 `
& C6 d/ W, [3 V5 `
描述9 Y- Y: U0 S9 R) A, y
TF3622 使用先进的沟槽技术提供合适的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压操作。 该设备适合用作电池保护或其他开关应用。* h8 K4 f! D$ `1 J
TF3622一般特点 G3 o4 I# F3 a( x# q! R* p- T
● VDS =30V,ID =25A" y$ O7 E$ r3 C9 {. f4 y3 C
RDS(ON) =12mΩ @ VGS=10V
0 u3 @: b6 o; _' X v; u9 Y/ pRDS(ON) =16mΩ @ VGS=4.5V- B+ Q7 t3 q, r
● 高功率和电流处理能力- F1 z% S# T4 a; Y
● 获得无铅产品4 a& d6 R) A S: U( h3 h
● 表面贴装封装
# a* e' y5 G$ x$ H
! O$ j' F% y1 u3 K: y9 o+ [( A/ z. s/ Q- @4 s3 m$ p
应用6 n$ G' m) l4 Y5 |
●电池开关
! y7 d/ |* O6 u, u) z! C7 J●DC/DC转换器; m3 l8 }, o i+ I
. G( _# K- t, |3 J9 {
+ f' J' j* L2 c4 Z7 NTF3622原理图- q4 q c5 S" P
. ?/ X: E# z" L0 l0 G. B; A, F
TF3622封装图
/ A9 a7 q3 ~4 u# G
: L. B6 q( H, U# N: L* _' F
TF3622绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明） u1 }- e! m: S$ |: W; i. {0 n
' F" t1 P3 M& H3 d% l; f
TF3622 热特性
# G H E3 r5 c C% c( M
) |- `$ u2 P; [/ @( YTF3622电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
/ K# \: E7 y& H0 L; L; _ ! F1 g. z0 A n4 [6 w# s
7 a; J( V+ U& p; ~
其他特性：
1 C7 o5 F, D5 u. i+ v
8 U; p5 n- \% z& L8 x; v* Y+ d
q, m* L( v9 M; v1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。7 Q4 Z: ~: D% p0 E: ~2 N- K
8 @. x" z) V# ]7 Q+ H$ y* \0 {
2.表面安装在FR4板上，t≤ 10秒。 V: v: ~4 X* p/ V# [! A
2 `& h' U, G8 R- x& ^$ t) [
4 E# e( }1 c6 H3.脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2%.
4 a3 ], Y" d* e0 D5 O" {# A0 b2 X$ m) k! i
- O. f, ?" q, ]! @' P4.设计保证，不以生产为准4 R, }" E8 t: E
$ |) n8 H% j8 u. O: M; {. i5 P
' I$ t' `: w# r
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