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图 4 显示该高通滤波器的频率响应如何随着不同的 DC 阻隔电容产生变化。对于 16Ω 的固定负载阻抗,只要改变输出 DC 阻隔电容,截止频率便会随之变动。结果是当电容值减小,截止频率就会提高,而且越少音频低音内容能被传输到耳机喇叭。1 |" Z/ M7 I: ]4 M# @/ ~4 S) Y
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图 4. 输出频率响应比较 ) ]1 d8 p5 D/ T' {! n 这种做法看起来很理想,不过,由于整合式电荷泵的低效运作,相较于含偏移接地套管或大型 DC 阻隔电容的传统耳机放大器,接地置中耳机放大器会耗用较多的电源,而略微缩短系统的电池使用时间。为解决这个问题的创新做法是使用改良的 Class-G技术。# l4 _! ^' _9 b* I
Class-G 技术6 _1 z' P) A9 W, C% ~3 N1 V
在 AB 类放大器的接地置中架构做法中,放大器总是以最高电源电压运作,这表示,对于音频的无噪声阶段而言,整个输出 FET 的电压降幅相当大。以锂离子电池为例,一般的电池电压范围是 3.0V 至 4.2V。假设电池供应 3.6V 的电压,图 5 的红色箭头表示播放输出音频时整个输出 FET 的电压降幅。% L2 [9 y. g+ w
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图 5. AB 类接地置中耳机放大器运作& h1 c) T$ q8 r6 u3 z0 H8 f" i
假设放大器的静态电流相较于流向负载的电流来说非常地小,即可推算电池电流与输出电流呈正比。 7 o e+ \- B9 f' L$ u; q2 V (等式 3) 9 g7 G: X7 T4 L 显示 AB 类接地置中耳机简易示意图。随着音频的变化,整个输出 FET 的电压降幅也会变动。装置的功率损耗是电压降幅乘以电池电流 (IBATT) 所得的乘积。 / r: e$ l/ ]) R7 W